图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:15100 |
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最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:15100 |
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最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:1680 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
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| 规格书 |
 BD435,437,439,441 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 500 |
| 晶体管类型 | NPN |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 4A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 32V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 500mV @ 200mA, 2A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 85 @ 500mA, 1V |
| 功率 - 最大 | 36W |
| 频率转换 | 3MHz |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-225AA, TO-126-3 |
| 供应商器件封装 | TO225AA |
| 包装材料 | Bulk |
| 包装 | 3TO-225 |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 32 V |
| 集电极最大直流电流 | 4 A |
| 最小直流电流增益 | 40@10mA@5V|85@0.5A@1V|50@2A@1V|30@3A@1V |
| 最大工作频率 | 3(Min) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.5@0.2A@2A V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 36000 mW |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Bulk |
| 标准包装 | Boxed |
| 集电极最大直流电流 | 4 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大功率耗散 | 36000 |
| 最大基地发射极电压 | 5 |
| Maximum Transition Frequency | 3(Min) |
| 封装 | Bulk |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 32 |
| 供应商封装形式 | TO-225 |
| 最大集电极发射极电压 | 32 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 4A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 3MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 500mV @ 200mA, 2A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 32V |
| 供应商设备封装 | TO225AA |
| 功率 - 最大 | 36W |
| 封装/外壳 | TO-225AA, TO-126-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 85 @ 500mA, 1V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 增益带宽产品fT | 3 MHz |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 40 |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 32 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 32 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 4 A |
| 集电极 - 基极电压 | 32 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 32 V |
| 发射极 - 基极电压 | 5 V |
| 频率（最大） | 3 MHz |
| 功率耗散 | 36 W |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | TO-225 |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益（最小值） | 40 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 频率 | 3 MHz |
| 集电极电流（DC ） | 4 A |
| 直流电流增益 | 40 |
| 频率 - 跃迁 | 3MHz |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 500mV @ 200mA, 2A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 85 @ 500mA, 1V |
| 封装/外壳 | TO-225AA, TO-126-3 |
| 功率 - 最大值 | 36W |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 4A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 32V |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 500 mV |
| 系列 | BD435 |
| Pd - Power Dissipation | 36000 mW |
| 长度 | 7.74 mm (Max) |
| 身高 | 11.04 mm (Max) |
| 品牌 | ON Semiconductor |
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